Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Pengembangan NAND G11 Menandai Kemajuan Teknologi Penyimpanan Data

Produsen memori asal Amerika Serikat tersebut mengungkapkan rencana pengembangan terbaru melalui pengumuman teknologi NAND generasi kesebelas. Generasi memori terbaru ini ditargetkan memiliki susunan melebihi 400 lapisan untuk memperbesar kepadatan data dalam ruang fisik yang relatif kecil. Dalam presentasi perusahaan, Micron menjelaskan arah inovasi penyimpanan untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Pendekatan teknologi tersebut menjadi bagian dari persaingan industri semikonduktor yang semakin membutuhkan performa tinggi.

Salah satu keputusan menarik adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Teknologi NAND G9 sebelumnya menggunakan 276 lapisan penyimpanan, sedangkan G11 menghadirkan rancangan dengan jumlah lapisan lebih tinggi. Menurut pemaparan perusahaan, rancangan memori generasi baru dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Karena kondisi tersebut, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.

Peningkatan Struktur Memori Micron Mengoptimalkan Kapasitas SSD

Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Dalam rancangan generasi terbaru, kepadatan NAND G11 ditargetkan berada pada kisaran 42 Gb/mm². Perubahan arsitektur tersebut membuka peluang penambahan kapasitas tanpa memerlukan pertambahan luas semikonduktor dengan rasio sama. Pada sektor memori flash, kepadatan bit yang lebih tinggi dapat memberikan fleksibilitas dalam merancang SSD. Walaupun begitu, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga bergantung pada konfigurasi chip.

Tidak hanya memperbesar kemampuan penyimpanan, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Kemajuan pada jalur transfer ini berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, performa antarmuka memori berbeda dari kecepatan produk SSD. Faktor seperti pengendali SSD, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap menentukan hasil penggunaan dalam berbagai pekerjaan.

Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya

Untuk mencapai peningkatan tersebut, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Metode fabrikasi tersebut memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer dihubungkan menjadi struktur semikonduktor terpadu. Proses penggabungan ini memberikan fleksibilitas dalam mengoptimalkan tiap bagian. Melalui teknik tersebut, array NAND dapat dirancang untuk meningkatkan densitas, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.

Kendati pendekatan tersebut menjanjikan, wafer-on-wafer bonding juga memerlukan pengendalian proses fabrikasi yang presisi. Ketidaktepatan dalam penggabungan wafer dapat menurunkan jumlah chip yang memenuhi spesifikasi. Karena alasan tersebut, keberhasilan produksi massal menjadi aspek utama untuk mencapai biaya produksi kompetitif. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penggunaan wafer bonding pada G11 dilakukan ketika pendekatannya dianggap tepat bagi kebutuhan produk. Hal ini memperlihatkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya berfokus pada peningkatan tinggi struktur, tetapi juga mengandalkan efisiensi teknologi fabrikasi.

Efisiensi Energi NAND G11 Mendukung Kebutuhan SSD Modern

Di samping peningkatan densitas penyimpanan, pengurangan kebutuhan daya memperoleh perhatian utama dalam penyempurnaan arsitektur penyimpanan Micron. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, penghematan energi pemindahan data melebihi seperempat dibandingkan teknologi G9. Rencana penghematan energi itu berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang memproses lalu lintas data secara berkelanjutan. Pada fasilitas berskala besar, peningkatan efisiensi setiap perangkat dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Meski demikian, target tersebut menjelaskan konsumsi energi selama transfer data, bukan jaminan penghematan listrik perangkat secara keseluruhan.

Dalam penggunaan sehari-hari, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga berpeluang membantu optimalisasi perangkat. SSD dengan konsumsi energi lebih terkendali mungkin mendukung efisiensi penggunaan energi ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Walaupun demikian, temperatur operasional SSD tetap bergantung pada desain keseluruhan perangkat. Controller SSD, desain rangkaian elektronik juga menentukan hasil penggunaan nyata. Oleh sebab itu, evaluasi setelah SSD diluncurkan menjadi penting sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.

Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI

Pertumbuhan teknologi kecerdasan buatan membuat kapasitas penyimpanan menjadi semakin penting. Infrastruktur kecerdasan buatan sering membutuhkan akses ke dataset dalam jumlah luas untuk pembelajaran sistem kecerdasan buatan maupun proses inferensi. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Sebagai pelengkap, peningkatan antarmuka I/O berpotensi membantu memenuhi beban kerja tertentu, terutama apabila dikombinasikan dengan pengendali yang sesuai.

Dalam peta jalan teknologinya, Micron menjelaskan strategi produk storage bagi pusat data AI. Salah satu konsepnya adalah SSD dengan kemampuan operasi input dan output lebih besar melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Arah inovasi yang berbeda berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Variasi permintaan sistem AI membuat pengembangan storage semakin beragam. Namun, memori flash tetap memiliki karakteristik berbeda dari memori kerja. Masing-masing teknologi digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap memegang peranan utama.

Kesimpulan: NAND G11 Menjadi Langkah Penting Masa Depan SSD

Pengenalan NAND generasi kesebelas Micron menunjukkan kemajuan signifikan dalam pengembangan media penyimpanan digital. Dengan struktur lebih dari 400 lapisan, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan NAND pendahulunya. Pengembangan kemampuan transfer data hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi memperlihatkan potensi manfaat. Tahapan manufaktur G11 dijadwalkan meningkat pada paruh kedua 2027, sehingga hasil penerapan komersial masih perlu ditunggu. Untuk pengamat industri teknologi, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Menurut Anda, apakah kecepatan penyimpanan yang terus meningkat akan memberikan dampak terbesar bagi komputasi modern pada generasi perangkat berikutnya?