Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Micron Memperkenalkan Generasi Baru NAND dengan Lebih dari 400 Lapisan

Micron Technology kembali memperlihatkan rencana pengembangan terbaru melalui pengenalan NAND G11. Generasi memori terbaru ini dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan dalam area semikonduktor tertentu. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menjelaskan arah inovasi penyimpanan untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Langkah tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang menuntut kapasitas semakin besar.

Langkah strategis yang menonjol adalah peralihan langsung dari NAND G9 ke G11. Generasi G9 menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Micron menjelaskan bahwa, strategi teknologi NAND terbaru disesuaikan dengan perkembangan infrastruktur komputasi AI. Kendati spesifikasi awal terlihat menjanjikan, G11 belum menjadi produk SSD komersial yang tersedia luas. Dengan demikian, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dilihat sebagai proyeksi kemampuan generasi baru.

Keunggulan NAND G11 dalam Kepadatan Data dan Kecepatan Transfer

Keunggulan teknis yang paling menonjol NAND G11 adalah peningkatan densitas penyimpanan hingga dua kali generasi sebelumnya. Berdasarkan sasaran perusahaan, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Perubahan arsitektur tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Pada sektor memori flash, kepadatan bit yang lebih tinggi dapat mempermudah pengembangan perangkat penyimpanan padat. Meski demikian, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga ditentukan oleh jumlah paket NAND yang digunakan.

Selain meningkatkan kepadatan, Micron juga menargetkan peningkatan kecepatan antarmuka. Jika dibandingkan generasi sebelumnya, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Perubahan performa antarmuka berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Meski angka tersebut terdengar besar, kecepatan NAND tidak sama dengan kecepatan SSD secara keseluruhan. Faktor seperti pengendali SSD, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap mempengaruhi performa akhir.

Wafer-on-Wafer Bonding Menjadi Fondasi Teknologi NAND G11

Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Teknik manufaktur canggih ini memisahkan proses produksi array penyimpanan dari rangkaian pendukung. Sesudah struktur semikonduktor disiapkan, wafer dihubungkan menjadi struktur semikonduktor terpadu. Pendekatan tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Berkat pemisahan proses ini, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara bagian logika dioptimalkan sesuai kebutuhan operasional.

Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga menuntut tingkat ketelitian manufaktur tinggi. Gangguan selama tahapan bonding dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, kesiapan manufaktur berkapasitas besar menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Micron menyatakan bahwa, pemanfaatan metode fabrikasi baru dilakukan ketika pendekatannya dianggap tepat bagi kebutuhan produk. Hal ini memperlihatkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya ditentukan oleh susunan vertikal sel, tetapi juga membutuhkan penyempurnaan arsitektur chip.

Efisiensi Energi NAND G11 Mendukung Kebutuhan SSD Modern

Selain kapasitas dan kecepatan, optimalisasi konsumsi energi menjadi sasaran tambahan dalam perancangan NAND G11. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Target efisiensi ini dapat membantu sistem penyimpanan berkapasitas besar yang memproses lalu lintas data secara berkelanjutan. Dalam lingkungan server yang padat, peningkatan efisiensi setiap perangkat dapat membantu meningkatkan efisiensi operasional. Namun, target tersebut menjelaskan konsumsi energi selama transfer data, bukan angka penurunan konsumsi seluruh sistem.

Pada laptop dan komputer desktop, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga berpeluang membantu optimalisasi perangkat. Perangkat penyimpanan yang lebih hemat daya berpotensi mengurangi panas dari aktivitas tertentu ketika menjalankan proses pemindahan file. Walaupun demikian, masa pakai baterai laptop tetap ditentukan oleh sejumlah faktor tambahan. Controller SSD, pengaturan operasi dan manajemen energi juga memiliki peran penting pada performa perangkat. Karena itu, hasil benchmark perangkat nyata masih dibutuhkan sebelum keuntungan penggunaan benar-benar diketahui.

NAND G11 Dipersiapkan untuk SSD dan Kebutuhan Kecerdasan Buatan

Pertumbuhan teknologi kecerdasan buatan meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Sistem AI modern sering membutuhkan akses ke dataset dalam jumlah luas untuk pengembangan algoritma maupun proses inferensi. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 dapat menjadi dasar pengembangan penyimpanan berperforma tinggi. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat mendukung pengembangan sistem penyimpanan padat. Di sisi performa, pengembangan kecepatan komunikasi NAND berpotensi membantu memenuhi beban kerja tertentu, terutama apabila didukung arsitektur sistem memadai.

Perusahaan turut memperkenalkan strategi produk storage bagi pusat data AI. Di antara gagasan yang disampaikan adalah SSD dengan kemampuan operasi input dan output lebih besar melalui ukuran blok data yang lebih kecil. Pendekatan lainnya berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Perbedaan karakteristik beban kerja ini membuat pengembangan storage semakin beragam. Namun, memori flash tetap memiliki karakteristik berbeda dari memori kerja. Berbagai lapisan penyimpanan dan memori memiliki fungsi tersendiri dalam arsitektur komputasi, sehingga integrasi yang tepat tetap memegang peranan utama.

Kesimpulan: NAND G11 Menjadi Langkah Penting Masa Depan SSD

Rencana teknologi memori flash G11 menunjukkan kemajuan signifikan dalam industri penyimpanan data. Dengan struktur lebih dari 400 lapisan, teknologi tersebut dirancang menghadirkan kemampuan penyimpanan jauh lebih padat dibandingkan teknologi sebelumnya. Target antarmuka yang lebih cepat hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi menjadi bagian dari keunggulan yang direncanakan. Tahapan manufaktur G11 dijadwalkan meningkat pada paruh kedua 2027, sehingga kinerja produk akhirnya belum dapat dipastikan. Bagi pelaku pengembangan pusat data, inovasi ini menjadi perkembangan yang menarik untuk diikuti. Menurut Anda, apakah kapasitas SSD yang semakin besar akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada generasi perangkat berikutnya?