Micron Siapkan DRAM Generasi Baru Menggunakan Wafer Bonding dan Teknologi High NA EUV
Micron Technology memperkenalkan strategi pengembangan memori DRAM generasi baru dengan mengandalkan wafer bonding dan teknologi litografi High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet atau High NA EUV. Rencana tersebut menjadi bagian dari upaya perusahaan mempertahankan peningkatan kepadatan memori ketika proses miniaturisasi semikonduktor semakin menghadapi keterbatasan fisik. Dalam perkembangan TEKNOLOGI industri chip, pendekatan ini membuka peluang peningkatan kapasitas, efisiensi energi, dan kemampuan pemrosesan data. Micron juga menyiapkan arsitektur memori tiga dimensi serta solusi memori berkecepatan tinggi untuk mendukung kebutuhan kecerdasan buatan, pusat data, dan perangkat komputasi generasi mendatang.
Micron Mengembangkan Teknologi DRAM Generasi Baru dengan Strategi Berbeda
Perusahaan pengembang DRAM dan NAND menjelaskan arah inovasi memori generasi berikutnya melalui webinar teknologi yang berlangsung pada 21 Oktober 2026. Pada kesempatan itu, Scott DeBoer selaku President dan Chief Technology and Products Officer Micron memaparkan pendekatan perusahaan dalam meningkatkan kepadatan bit. Perubahan strategis yang menjadi perhatian adalah tidak melanjutkan arsitektur sel DRAM 4F² sebagai jalur utama miniaturisasi. Sebagai gantinya, Micron memilih mengembangkan arsitektur 6F² dengan integrasi teknologi penyambungan wafer dan penelitian DRAM bertumpuk. Strategi tersebut menunjukkan perhatian perusahaan terhadap biaya manufaktur, kompleksitas produksi, dan peningkatan kinerja memori.
Langkah inovasi Micron tidak dapat dipisahkan dari meningkatnya kebutuhan memori untuk komputasi kecerdasan buatan. Di lingkungan pusat data, DRAM menjadi komponen utama dalam mendukung pemrosesan informasi sementara. Seiring bertambahnya beban komputasi, produsen semikonduktor perlu mengembangkan chip yang mampu menampung lebih banyak data tanpa mengorbankan efisiensi daya. Walaupun permintaan semakin besar, mengurangi dimensi komponen penyusun sel memori menjadi semakin sulit. Untuk menghadapi kondisi ini, Micron mengembangkan strategi manufaktur bertahap agar peningkatan kepadatan tetap memungkinkan.
Cara Kerja Wafer Bonding dalam Pengembangan Memori DRAM
Salah satu teknologi utama adalah wafer bonding, yaitu proses penggabungan dua wafer semikonduktor atau lebih untuk menggabungkan komponen dalam satu sistem. Dalam pengembangan memori, pendekatan ini membuka peluang bagi pemisahan beberapa fungsi rangkaian sebelum struktur semikonduktor digabungkan. Pendekatan penyambungan ini berpotensi memberikan fleksibilitas desain yang semakin luas dibandingkan dengan sejumlah pendekatan manufaktur konvensional. Walaupun potensinya menjanjikan, Micron masih belum memaparkan secara lengkap bagaimana wafer bonding akan diintegrasikan dalam proses manufaktur 1ε. Karena informasi teknisnya masih terbatas, keuntungan kuantitatif teknologi tersebut belum bisa dinyatakan secara definitif.
Produsen memori tersebut mengembangkan penerapan wafer bonding pada node DRAM 1ε atau 1-epsilon, yang menjadi penerus teknologi 1-delta. Generasi ini menjadi salah satu tahapan peta jalan pengembangan memori planar Micron. Secara konseptual, wafer bonding berpotensi mendukung efisiensi penggunaan area chip melalui penataan fungsi rangkaian yang lebih fleksibel. Meski demikian, implementasinya tetap membutuhkan pengendalian terhadap ketepatan penyelarasan wafer, integritas antarmuka material, dan hasil chip yang memenuhi standar. Gangguan dalam proses penyambungan berpotensi mengurangi fungsi sirkuit maupun keandalan perangkat semikonduktor. Dengan mempertimbangkan tantangan tersebut, pengembangan wafer bonding tidak hanya membutuhkan desain yang tepat, tetapi juga evaluasi kelayakan ekonomi.
Kemampuan Litografi Generasi Baru untuk Memperluas Miniaturisasi Memori
Selain mengembangkan wafer bonding, Micron juga meneliti penerapan High NA EUV untuk pengembangan node manufaktur lanjutan. Litografi Extreme Ultraviolet dengan numerical aperture tinggi merupakan metode pencetakan pola semikonduktor yang memungkinkan pembentukan pola dengan tingkat detail lebih tinggi. Jika dibandingkan dengan litografi EUV standar, teknologi ini memanfaatkan kemampuan pemfokusan cahaya yang lebih tinggi. Pengembangan pada sistem litografi membantu memperkecil ukuran fitur yang dibentuk melalui proses litografi. Melalui kemampuan tersebut, High NA EUV menjadi salah satu pendekatan potensial untuk meningkatkan kepadatan rangkaian memori.
Berdasarkan strategi manufaktur perusahaan, High NA EUV menjadi bagian dari pengembangan generasi 1ζ atau 1-zeta dan node lanjutan setelahnya. Sistem pencetakan pola terbaru dapat memberikan kemampuan tambahan bagi pengembangan DRAM dengan kepadatan komponen yang meningkat. Akan tetapi, penggunaan High NA EUV memerlukan biaya peralatan yang tinggi. Di luar kebutuhan investasi perangkat, produsen chip harus mempertimbangkan produktivitas manufaktur, kualitas struktur semikonduktor, dan integrasi terhadap proses fabrikasi. Perusahaan turut mengembangkan kolaborasi dengan Albany NanoTech untuk mengembangkan kemampuan manufaktur masa depan. Perlu diperhatikan, jadwal produksi massal High NA EUV untuk DRAM Micron belum ditetapkan secara terbuka.
Peta Jalan DRAM Micron dari Generasi 1-Gamma hingga 3D DRAM
Melalui strategi manufaktur yang diumumkan, Micron menempatkan generasi 1γ atau 1-gamma sebagai salah satu fondasi utama. Teknologi 1-gamma telah memasuki produksi volume tinggi. Untuk tahap pengembangan berikutnya, Micron merencanakan node 1δ atau 1-delta yang direncanakan memasuki produksi volume tinggi pada paruh kedua 2027. Micron menargetkan, generasi tersebut menghasilkan peningkatan densitas bit sekitar seperempat dibandingkan 1-gamma. Kemajuan pada generasi berikutnya berpotensi memberikan kapasitas memori lebih besar dalam luas silikon yang sebanding. Namun demikian, realisasi keuntungan tersebut tetap bergantung pada proses pengembangan dan efisiensi manufaktur komersial.
Dalam rencana teknologi berikutnya, Micron mengembangkan node 1-epsilon dengan integrasi metode penggabungan wafer. Untuk tahap berikutnya, perusahaan mulai mengeksplorasi node 1-zeta dan 1-eta yang mengandalkan kombinasi teknologi litografi lanjutan. Selain melanjutkan miniaturisasi dua dimensi, Micron juga mengembangkan pendekatan 3D DRAM melalui generasi 3D1 dan 3D2. Teknologi tiga dimensi bertujuan membuka kemungkinan meningkatkan kapasitas melalui penyusunan komponen dalam beberapa lapisan. Kendati pengembangannya sedang berlangsung, Micron masih belum memastikan waktu peluncuran 3D DRAM. Tahapan komersialisasinya ditentukan melalui penilaian biaya, kompleksitas manufaktur, dan kelayakan penggunaan pada produk komersial.
Peluang Memori Generasi Berikutnya bagi Pusat Data dan Komputasi
Perkembangan DRAM generasi baru berperan penting dalam mendukung sistem kecerdasan buatan yang mengolah data dalam jumlah tinggi. Dalam lingkungan server AI, kinerja memori memengaruhi kecepatan pertukaran informasi. Dengan berkembangnya beban kerja komputasi, kebutuhan terhadap akses data berkecepatan tinggi terus meningkat. Karena itu, Micron memperluas penelitian produk memori seperti HBM5, vertical high-bandwidth memory atau vHBM, dan vertical edge inference memory atau vEIM. Strategi diversifikasi tersebut menunjukkan arah inovasi yang tidak hanya berfokus pada kapasitas, tetapi juga mengutamakan efisiensi pertukaran data.
Inovasi yang menjadi perhatian adalah vHBM, yaitu arsitektur memori bertumpuk secara vertikal di atas prosesor. Berbeda dari HBM konvensional, vHBM dirancang untuk mendekatkan memori dengan unit pemrosesan. Dari sisi arsitektur, pendekatan ini berpotensi meningkatkan bandwidth. Di balik potensi tersebut, penempatan memori langsung di atas prosesor memerlukan sistem pendinginan yang lebih kompleks. Perusahaan turut memperkenalkan konsep vEIM yang dirancang untuk mendukung komputasi AI pada perangkat tepi. Sasaran generasi pertama vEIM menempatkan bandwidth 2 terabita per detik sebagai sasaran dengan energi kurang dari 1 pikojoule per bit. Namun, jadwal peluncuran komersial teknologi tersebut masih belum diumumkan.
Arah Pengembangan Semikonduktor Setelah Inovasi Terbaru Micron
Strategi pengembangan Micron menunjukkan perubahan penting dalam persaingan teknologi manufaktur chip. Berkat penelitian terhadap wafer bonding pada generasi 1-epsilon dan High NA EUV untuk node berikutnya, perusahaan berupaya mempertahankan peningkatan kepadatan ketika batas fisik semakin terasa. Selain pendekatan tersebut, Micron juga meneliti struktur penyimpanan tiga dimensi serta menyiapkan solusi memori khusus untuk komputasi berperforma tinggi. Sekalipun sejumlah produk belum tersedia secara komersial, perkembangan tersebut menunjukkan potensi masa depan TEKNOLOGI memori yang berorientasi pada kapasitas serta efisiensi energi. Apa pandangan Anda pengaruh inovasi DRAM tiga dimensi terhadap peningkatan kinerja sistem komputasi? Bagikan pemikiran Anda mengenai arah inovasi industri semikonduktor.
