Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang
Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Inovasi Memori Flash Micron Membuka Babak Baru Industri SSD
Produsen memori asal Amerika Serikat tersebut mengungkapkan peta jalan teknologi penyimpanan melalui pengembangan memori flash G11. Arsitektur penyimpanan tersebut dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk mengoptimalkan jumlah informasi yang disimpan dalam ukuran chip yang terbatas. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menegaskan pentingnya pengembangan NAND untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Langkah tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang semakin membutuhkan performa tinggi.
Langkah strategis yang menonjol adalah keputusan melewati penamaan generasi G10. Generasi G9 menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Menurut pemaparan perusahaan, strategi teknologi NAND terbaru dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Karena kondisi tersebut, angka performa yang diumumkan sebaiknya dinilai sebagai sasaran performa sebelum produksi massal.
Teknologi NAND G11 Menawarkan Kepadatan Penyimpanan Dua Kali Lebih Tinggi
Target penting dalam pengembangan NAND G11 adalah kemampuan menempatkan sekitar dua kali lebih banyak bit per satuan luas. Dalam rancangan generasi terbaru, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Perubahan arsitektur tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa meningkatkan ukuran fisik chip secara proporsional. Pada sektor memori flash, kemampuan menyimpan lebih banyak bit dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Namun, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga bergantung pada konfigurasi chip.
Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Dibandingkan NAND G9, G11 diproyeksikan mencapai kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat. Peningkatan tersebut berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Elemen perangkat seperti antarmuka PCIe, arsitektur kanal memori tetap mempengaruhi performa akhir.
Wafer-on-Wafer Bonding Menjadi Fondasi Teknologi NAND G11
Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron mengadopsi teknologi wafer-on-wafer bonding. Metode fabrikasi tersebut memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Metode fabrikasi tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Melalui teknik tersebut, struktur penyimpanan bisa dioptimalkan untuk kapasitas, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.
Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga menuntut tingkat ketelitian manufaktur tinggi. Gangguan selama tahapan bonding dapat mempengaruhi hasil produksi. Oleh sebab itu, keberhasilan produksi massal menjadi salah satu penentu penerapan teknologi baru. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penggunaan wafer bonding pada G11 dilakukan ketika pendekatannya dianggap tepat bagi kebutuhan produk. Strategi ini menggambarkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga memerlukan inovasi proses produksi.
Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data
Selain kapasitas dan kecepatan, optimalisasi konsumsi energi menjadi sasaran tambahan dalam perancangan NAND G11. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, pengurangan konsumsi energi per bit yang ditransfer di atas 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Peningkatan tersebut berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang menangani aktivitas transfer sepanjang waktu. Untuk pusat data dengan banyak perangkat, penghematan energi pada komponen dapat mengurangi sebagian kebutuhan energi sistem. Perlu diperhatikan, target tersebut berkaitan dengan energi transfer per bit, bukan pengurangan total daya SSD dengan persentase sama.
Pada laptop dan komputer desktop, efisiensi NAND yang lebih baik juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. SSD dengan konsumsi energi lebih terkendali berpotensi mengurangi panas dari aktivitas tertentu ketika menjalankan proses pemindahan file. Kendati potensi tersebut menarik, temperatur operasional SSD tetap dipengaruhi berbagai komponen lain. Sistem pengelolaan perangkat, desain rangkaian elektronik juga menentukan hasil penggunaan nyata. Karena itu, evaluasi setelah SSD diluncurkan menjadi penting sebelum peningkatan daya dapat dibandingkan secara akurat.
Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Sistem AI modern sering membutuhkan akses ke dataset dalam jumlah luas untuk pengembangan algoritma maupun pengolahan permintaan pengguna. Dalam lingkungan tersebut, NAND G11 dipersiapkan untuk membantu memenuhi permintaan storage modern. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat mendukung pengembangan sistem penyimpanan padat. Di sisi performa, peningkatan antarmuka I/O berpotensi membantu memenuhi beban kerja tertentu, terutama apabila dikombinasikan dengan pengendali yang sesuai.
Micron juga memaparkan strategi produk storage bagi pusat data AI. Salah satu konsepnya adalah penyimpanan berorientasi IOPS tinggi melalui optimalisasi operasi transfer berukuran kecil. Arah inovasi yang berbeda berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Kebutuhan tersebut mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Walaupun teknologi G11 memiliki potensi, memori flash tetap memiliki karakteristik berbeda dari memori kerja. Berbagai lapisan penyimpanan dan memori digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap menjadi faktor penting.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Pengembangan NAND G11 oleh Micron memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam pengembangan media penyimpanan digital. Dengan struktur lebih dari 400 lapisan, teknologi tersebut dipersiapkan meningkatkan densitas penyimpanan sekitar dua kali lipat dibandingkan generasi G9. Pengembangan kemampuan transfer data hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi menjadi bagian dari keunggulan yang direncanakan. Micron menargetkan peningkatan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kemampuan nyata tetap membutuhkan pengujian lanjutan. Untuk pengamat industri teknologi, inovasi ini menjadi perkembangan yang menarik untuk diikuti. Dari sudut pandang Anda, apakah kapasitas SSD yang semakin besar akan menjadi prioritas utama pengguna pada generasi perangkat berikutnya?
