Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Inovasi Memori Flash Micron Membuka Babak Baru Industri SSD

Perusahaan semikonduktor Micron memaparkan peta jalan teknologi penyimpanan melalui pengenalan NAND G11. Generasi memori terbaru ini ditargetkan memiliki susunan melebihi 400 lapisan untuk memperbesar kepadatan data dalam ukuran chip yang terbatas. Pada pemaparan roadmap tersebut, Micron menegaskan pentingnya pengembangan NAND untuk menjawab kebutuhan komputasi modern. Langkah tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang menuntut kapasitas semakin besar.

Perubahan penting dalam roadmap Micron adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Teknologi NAND G9 sebelumnya menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Micron menjelaskan bahwa, rancangan memori generasi baru difokuskan pada kebutuhan AI masa depan. Meskipun demikian, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Dengan demikian, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.

Keunggulan NAND G11 dalam Kepadatan Data dan Kecepatan Transfer

Keunggulan teknis yang paling menonjol NAND G11 adalah peningkatan densitas penyimpanan hingga dua kali generasi sebelumnya. Berdasarkan sasaran perusahaan, kepadatan NAND G11 diperkirakan mencapai kurang lebih 42 gigabit per milimeter persegi. Peningkatan tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Dalam industri SSD, densitas penyimpanan yang meningkat dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Walaupun begitu, ukuran penyimpanan produk komersial juga dipengaruhi rancangan keseluruhan media penyimpanan.

Tidak hanya memperbesar kemampuan penyimpanan, Micron juga mengembangkan kemampuan transfer data lebih cepat. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 menawarkan target peningkatan I/O sebesar 50 persen. Perubahan performa antarmuka berpotensi membantu memperbesar laju pemindahan informasi internal. Walaupun target performanya menarik, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Faktor seperti pengendali SSD, arsitektur kanal memori tetap berperan dalam menentukan kecepatan nyata.

Micron Menggunakan Penyatuan Wafer untuk Mengembangkan Memori Flash

Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron mengadopsi teknologi wafer-on-wafer bonding. Teknik manufaktur canggih ini memungkinkan susunan sel memori dan rangkaian periferal dibuat secara terpisah. Sesudah struktur semikonduktor disiapkan, wafer digabungkan menggunakan teknik penyambungan presisi. Pendekatan tersebut membantu pengembangan rangkaian penyimpanan dan pengendali secara terpisah. Berkat pemisahan proses ini, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.

Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga membutuhkan penyelarasan komponen secara akurat. Kesalahan pada proses penyatuan dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, keberhasilan produksi massal menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penerapan teknik penggabungan wafer dilakukan ketika teknologi tersebut dinilai memberikan manfaat yang sesuai. Pendekatan tersebut menunjukkan bahwa pengembangan NAND modern tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga mengandalkan efisiensi teknologi fabrikasi.

Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data

Selain kapasitas dan kecepatan, efisiensi energi menjadi fokus penting dalam pengembangan memori flash generasi kesebelas. Berdasarkan sasaran pengembangan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Peningkatan tersebut menjadi keuntungan bagi infrastruktur komputasi modern yang menangani aktivitas transfer sepanjang waktu. Pada fasilitas berskala besar, penghematan energi pada komponen dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Meski demikian, target tersebut menjelaskan konsumsi energi selama transfer data, bukan pengurangan total daya SSD dengan persentase sama.

Dalam penggunaan sehari-hari, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. Perangkat penyimpanan yang lebih hemat daya dapat membantu pengelolaan daya selama pemindahan data ketika melakukan aktivitas penyimpanan intensif. Walaupun demikian, masa pakai baterai laptop tetap bergantung pada desain keseluruhan perangkat. Sistem pengelolaan perangkat, firmware dan konfigurasi daya juga menentukan hasil penggunaan nyata. Karena itu, evaluasi setelah SSD diluncurkan menjadi penting sebelum peningkatan daya dapat dibandingkan secara akurat.

Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI

Perkembangan sistem komputasi AI meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Sistem AI modern sering membutuhkan akses ke dataset dalam jumlah luas untuk pengembangan algoritma maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 dipersiapkan untuk membantu memenuhi permintaan storage modern. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Di sisi performa, peningkatan antarmuka I/O dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.

Micron juga memaparkan arah pengembangan SSD khusus AI. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah penyimpanan berorientasi IOPS tinggi melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Pendekatan lainnya berfokus pada kemampuan pemindahan data dalam jumlah besar. Variasi permintaan sistem AI mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Meski demikian, penyimpanan NAND tidak memiliki fungsi identik dengan RAM berkecepatan tinggi. Masing-masing teknologi digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga pengelolaan hierarki memori tetap diperlukan untuk memperoleh kinerja optimal.

Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi

Rencana teknologi memori flash G11 menjadi langkah penting dalam industri penyimpanan data. Melalui rancangan NAND yang melampaui 400 lapisan, teknologi tersebut dipersiapkan meningkatkan densitas penyimpanan sekitar dua kali lipat dibandingkan NAND pendahulunya. Pengembangan kemampuan transfer data hingga 1,5 kali lipat serta target penghematan energi per bit yang signifikan menjadi bagian dari keunggulan yang direncanakan. Micron menargetkan peningkatan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kinerja produk akhirnya belum dapat dipastikan. Untuk pengamat industri teknologi, inovasi ini membuka peluang penyimpanan lebih padat dan efisien. Menurut Anda, apakah kapasitas SSD yang semakin besar akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada masa depan industri digital?